显影机
显影机是CKF系列产品基础品种之一，该机采用先进的单片微型机程序自动控制，显影质量好工艺条件稳定可靠适应宜科研和生产单位大规模集成电路和其它半导体器件的光刻工艺中作显影之用。
本机显影工艺采用了先进的喷雾方式，可根据工艺要求喷雾状态电机的转数，程序时间的工艺参数都可在很宽的数值范围内调整，其程序为延时吸片、显影、漂洗、干燥、延时复位。
采用喷雾显影工艺后电路图形清晰完整，特别是对较细线条电路采用此工艺可得到很高的效果。
本设备除能实现显影工艺外亦可进行人工涂胶，工艺指标与本系列产品CKF-411型涂胶机相同
主要技术指标
显影工位：一个工位
程序时间：显影1—99秒漂洗1—99秒干燥1—99秒
旋转器转数： 500—8000转/分（连续可调）
硅片直径： Φ30—Φ75mm
净化效果： 100级（美国联邦标准）
操作区风速： 0.3—0.5米/秒
气流状态：垂直层流
外形尺寸： 650Χ750Χ1620mm
显影机
显影机是CKF系列产品基础品种之一，该机采用先进的单片微型机程序自动控制，显影质量好工艺条件稳定可靠适应宜科研和生产单位大规模集成电路和其它半导体器件的光刻工艺中作显影之用。
本机显影工艺采用了先进的喷雾方式，可根据工艺要求喷雾状态电机的转数，程序时间的工艺参数都可在很宽的数值范围内调整，其程序为延时吸片、显影、漂洗、干燥、延时复位。
采用喷雾显影工艺后电路图形清晰完整，特别是对较细线条电路采用此工艺可得到很高的效果。
本设备除能实现显影工艺外亦可进行人工涂胶，工艺指标与本系列产品CKF-411型涂胶机相同
主要技术指标
显影工位：一个工位
程序时间：显影1—99秒漂洗1—99秒干燥1—99秒
旋转器转数： 500—8000转/分（连续可调）
硅片直径： Φ30—Φ75mm
净化效果： 100级（美国联邦标准）
操作区风速： 0.3—0.5米/秒
气流状态：垂直层流
外形尺寸： 650Χ750Χ1620mm
显影机
显影机是CKF系列产品基础品种之一，该机采用先进的单片微型机程序自动控制，显影质量好工艺条件稳定可靠适应宜科研和生产单位大规模集成电路和其它半导体器件的光刻工艺中作显影之用。
本机显影工艺采用了先进的喷雾方式，可根据工艺要求喷雾状态电机的转数，程序时间的工艺参数都可在很宽的数值范围内调整，其程序为延时吸片、显影、漂洗、干燥、延时复位。
采用喷雾显影工艺后电路图形清晰完整，特别是对较细线条电路采用此工艺可得到很高的效果。
本设备除能实现显影工艺外亦可进行人工涂胶，工艺指标与本系列产品CKF-411型涂胶机相同
主要技术指标
显影工位：一个工位
程序时间：显影1—99秒漂洗1—99秒干燥1—99秒
旋转器转数： 500—8000转/分（连续可调）
硅片直径： Φ30—Φ75mm
净化效果： 100级（美国联邦标准）
操作区风速： 0.3—0.5米/秒
气流状态：垂直层流
外形尺寸： 650Χ750Χ1620mm
显影机
显影机是CKF系列产品基础品种之一，该机采用先进的单片微型机程序自动控制，显影质量好工艺条件稳定可靠适应宜科研和生产单位大规模集成电路和其它半导体器件的光刻工艺中作显影之用。
本机显影工艺采用了先进的喷雾方式，可根据工艺要求喷雾状态电机的转数，程序时间的工艺参数都可在很宽的数值范围内调整，其程序为延时吸片、显影、漂洗、干燥、延时复位。
采用喷雾显影工艺后电路图形清晰完整，特别是对较细线条电路采用此工艺可得到很高的效果。
本设备除能实现显影工艺外亦可进行人工涂胶，工艺指标与本系列产品CKF-411型涂胶机相同
主要技术指标
显影工位：一个工位
程序时间：显影1—99秒漂洗1—99秒干燥1—99秒
旋转器转数： 500—8000转/分（连续可调）
硅片直径： Φ30—Φ75mm
净化效果： 100级（美国联邦标准）
操作区风速： 0.3—0.5米/秒
气流状态：垂直层流
外形尺寸： 650Χ750Χ1620mm
显影机
显影机是CKF系列产品基础品种之一，该机采用先进的单片微型机程序自动控制，显影质量好工艺条件稳定可靠适应宜科研和生产单位大规模集成电路和其它半导体器件的光刻工艺中作显影之用。
本机显影工艺采用了先进的喷雾方式，可根据工艺要求喷雾状态电机的转数，程序时间的工艺参数都可在很宽的数值范围内调整，其程序为延时吸片、显影、漂洗、干燥、延时复位。
采用喷雾显影工艺后电路图形清晰完整，特别是对较细线条电路采用此工艺可得到很高的效果。
本设备除能实现显影工艺外亦可进行人工涂胶，工艺指标与本系列产品CKF-411型涂胶机相同
主要技术指标
显影工位：一个工位
程序时间：显影1—99秒漂洗1—99秒干燥1—99秒
旋转器转数： 500—8000转/分（连续可调）
硅片直径： Φ30—Φ75mm
净化效果： 100级（美国联邦标准）
操作区风速： 0.3—0.5米/秒
气流状态：垂直层流
外形尺寸： 650Χ750Χ1620mm
显影机
显影机是CKF系列产品基础品种之一，该机采用先进的单片微型机程序自动控制，显影质量好工艺条件稳定可靠适应宜科研和生产单位大规模集成电路和其它半导体器件的光刻工艺中作显影之用。
本机显影工艺采用了先进的喷雾方式，可根据工艺要求喷雾状态电机的转数，程序时间的工艺参数都可在很宽的数值范围内调整，其程序为延时吸片、显影、漂洗、干燥、延时复位。
采用喷雾显影工艺后电路图形清晰完整，特别是对较细线条电路采用此工艺可得到很高的效果。
本设备除能实现显影工艺外亦可进行人工涂胶，工艺指标与本系列产品CKF-411型涂胶机相同
主要技术指标
显影工位：一个工位
程序时间：显影1—99秒漂洗1—99秒干燥1—99秒
旋转器转数： 500—8000转/分（连续可调）
硅片直径： Φ30—Φ75mm
净化效果： 100级（美国联邦标准）
操作区风速： 0.3—0.5米/秒
气流状态：垂直层流
外形尺寸： 650Χ750Χ1620mm
显影机
显影机是CKF系列产品基础品种之一，该机采用先进的单片微型机程序自动控制，显影质量好工艺条件稳定可靠适应宜科研和生产单位大规模集成电路和其它半导体器件的光刻工艺中作显影之用。
本机显影工艺采用了先进的喷雾方式，可根据工艺要求喷雾状态电机的转数，程序时间的工艺参数都可在很宽的数值范围内调整，其程序为延时吸片、显影、漂洗、干燥、延时复位。
采用喷雾显影工艺后电路图形清晰完整，特别是对较细线条电路采用此工艺可得到很高的效果。
本设备除能实现显影工艺外亦可进行人工涂胶，工艺指标与本系列产品CKF-411型涂胶机相同
主要技术指标
显影工位：一个工位
程序时间：显影1—99秒漂洗1—99秒干燥1—99秒
旋转器转数： 500—8000转/分（连续可调）
硅片直径： Φ30—Φ75mm
净化效果： 100级（美国联邦标准）
操作区风速： 0.3—0.5米/秒
气流状态：垂直层流
外形尺寸： 650Χ750Χ1620mm
显影机
显影机是CKF系列产品基础品种之一，该机采用先进的单片微型机程序自动控制，显影质量好工艺条件稳定可靠适应宜科研和生产单位大规模集成电路和其它半导体器件的光刻工艺中作显影之用。
本机显影工艺采用了先进的喷雾方式，可根据工艺要求喷雾状态电机的转数，程序时间的工艺参数都可在很宽的数值范围内调整，其程序为延时吸片、显影、漂洗、干燥、延时复位。
采用喷雾显影工艺后电路图形清晰完整，特别是对较细线条电路采用此工艺可得到很高的效果。
本设备除能实现显影工艺外亦可进行人工涂胶，工艺指标与本系列产品CKF-411型涂胶机相同
主要技术指标
显影工位：一个工位
程序时间：显影1—99秒漂洗1—99秒干燥1—99秒
旋转器转数： 500—8000转/分（连续可调）
硅片直径： Φ30—Φ75mm
净化效果： 100级（美国联邦标准）
操作区风速： 0.3—0.5米/秒
气流状态：垂直层流
外形尺寸： 650Χ750Χ1620mm
显影机
显影机是CKF系列产品基础品种之一，该机采用先进的单片微型机程序自动控制，显影质量好工艺条件稳定可靠适应宜科研和生产单位大规模集成电路和其它半导体器件的光刻工艺中作显影之用。
本机显影工艺采用了先进的喷雾方式，可根据工艺要求喷雾状态电机的转数，程序时间的工艺参数都可在很宽的数值范围内调整，其程序为延时吸片、显影、漂洗、干燥、延时复位。
采用喷雾显影工艺后电路图形清晰完整，特别是对较细线条电路采用此工艺可得到很高的效果。
本设备除能实现显影工艺外亦可进行人工涂胶，工艺指标与本系列产品CKF-411型涂胶机相同
主要技术指标
显影工位：一个工位
程序时间：显影1—99秒漂洗1—99秒干燥1—99秒
旋转器转数： 500—8000转/分（连续可调）
硅片直径： Φ30—Φ75mm
净化效果： 100级（美国联邦标准）
操作区风速： 0.3—0.5米/秒
气流状态：垂直层流
外形尺寸： 650Χ750Χ1620mm
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